中国科学院半导体研究所 中国科学院北京分院
重点研究领域:半导体物理、材料、器件研究及其系统集成应用
所在地:北京市,北京
机构简介:

1956年,在我国十二年科学技术发展远景规划中,半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地,国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所(以下简称半导体所),开启了中国半导体科学技术的发展之路。 半导体所拥有两个国家级研究中心—国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心;三个国家重点实验室—半导体超晶格国家重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验室(半导体所区);两个院级实验室(中心)—半导体材料科学重点实验室、中科院半导体照明研发中心。此外,还设有半导体集成技术工程研究中心、光电子研究发展中心、高速电路与神经网络实验室、纳米光电子实验室、光电系统实验室、全固态光源实验室、元器件检测中心和半导体能源研究发展中心。并成立了图书信息中心,为研究所提供科研支撑服务。 半导体研究所现有职工690余名,其中科技人员480余名,中国科学院院士8名,中国工程院院士2名,正副研究员及高级工程技术人员209名,“百人计划”入选者及国家“杰青”获得者44人次、国家百千万人才工程入选者6名。其中黄昆先生荣获2001年度国家最高科学技术奖。设有3个博士后流动站,3个一级学科博士培养点,3个工程硕士培养点,。 半导体所高度重视国内外交流合作,与地方政府、科研机构、大学和企业等共建了1个院士工作站、3个研发(转移)中心、9个联合实验室,积极为企业和区域经济社会发展服务。同时积极开展多层次、全方位的国际学术交流与合作,成绩显著,科学技术部和国家外国专家局批准成立“国家级国际联合研究中心”。并且以自主知识产权的专利和专有技术投资,融合社会资本建立了10余家高技术企业,并实施科研成果转化为现实生产力,已初步形成产业化、商品化规模。 半导体所秉承“以人为本、创新跨越、唯真求实、和谐发展”的办所理念,奋斗不息,勇攀高峰,取得了快速发展,研究所已逐渐发展成为集半导体物理、材料、器件研究及其系统集成应用于一体的国家级半导体科学技术的综合性研究机构。 半导体所的中长期发展战略目标是:开展与国家发展密切相关的、世界科技前沿的基础性、前瞻性、战略性科技创新活动,为发展我国的高新技术提供源源不断的动力;以国家战略需求为导向,开展战略高技术研究,为国民经济和国防建设提供科技支撑,并为相关行业的技术进步作出贡献;吸引、聚集和培养国际一流人才;建立具有国际先进水平的、开放的实验研究和测试平台,实现科技创新能力的跨越和持续发展,成为引领我国半导体科学技术发展的火车头。

展开 收起
科研成果
先进制造技术,环境保护与资源综合利用

基于TDLAS技术的气体传感器

基于可调谐二极管激光器吸收光谱技术( TDLAS)的气体传感器,是结合光电子学,光谱学,以及微弱信号处理等高新技术的气体传感器系统。该设备与传统的气体传感器装置(电化学法,气象色谱法,吸附法)相比具有更高的灵敏度,更精确的测量数据,更快的响应速度,以及在线实时测量等特点。通过内建程序及显示屏,可以实时显示当前的待测气体浓度,以及各测量量随时间变化的曲线。标准的 RS232通信接口可以方便的向上位机传输实时测量数据。通过光纤和电缆的延伸,可以进行远端在线测试。通过可更换的气室选择,完成不同环境下的测试任务。并且我们可以根据客户的要求进行定制气体( H20, N0, CH4 , FH)的测试。根据我们目前的调研情况,目前能够很容易检测的气体包括H20、 NH3、 N0、 HF、 HBr、 HI、 CH4,其中H20和HF的检测灵敏度可以高达100个ppb,是目前同类型传感器中灵敏度最高的检测手段。上述气体都是化工生产、气象监测、特种气体测量(如SF6中的水汽测量、矿井的瓦斯监测等) ,因此该类传感器具有非常广阔的应用前景。另外,目前国家在环境监控非常重视,其中一些危险气体的检测缺乏体积小、灵敏度高、响应时间快的传感器技术,因此该技术还能在国家安全和环境控制方面发挥重要的作用 。