专利名称--【半导体器件】

基本信息
申请号 CN201110241218.2 申请日 2011-08-22 公开(公开)号 CN102956699A 公开(公开)日 2013.03.06
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 申请人地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人 梁擎擎;许淼;朱慧珑;钟汇才 专利类型 发明专利
摘要 本申请公开了一种半导体器件,包括:在超薄半导体层中形成的源/漏区;在超薄半导体层中形成的位于源/漏区之间的沟道区;位于沟道区上方的前栅叠层,所述前栅叠层包括前栅和位于前栅和沟道区之间的前栅介质层;位于沟道区下方的背栅叠层,所述背栅叠层包括背栅和位于背栅和沟道区之间的背栅介质层,其中,前栅由高阈值电压材料形成,背栅由低阈值电压材料形成。根据另一实施例,前栅和背栅由相同的材料组成,在半导体器件工作时向背栅施加正向偏置电压。该半导体器件利用背栅减小由于沟道区厚度变化而引起的阈值电压波动。
主权项 一种半导体器件,包括:在超薄半导体层中形成的源/漏区;在超薄半导体层中形成的位于源/漏区之间的沟道区;位于沟道区上方的前栅叠层,所述前栅叠层包括前栅和位于前栅和沟道区之间的前栅介质层;位于沟道区下方的背栅叠层,所述背栅叠层包括背栅和位于背栅和沟道区之间的背栅介质层,其中,前栅由高阈值电压材料形成,背栅由低阈值电压材料形成。
IPC信息
IPC主分类号 H01L29/78(2006.01)I
IPC分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I
法律状态信息
法律状态公告日 2015.05.06 法律状态 授权 法律状态信息 授权
法律状态公告日 2013.04.03 法律状态 实质审查的生效 法律状态信息 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20110822
法律状态公告日 2013.03.06 法律状态 公开 法律状态信息 公开
代理信息
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 申请人地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
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