专利名称--【绝缘栅双极晶体管及其制作方法】

基本信息
申请号 CN201110201384.X 申请日 2011-07-18 公开(公开)号 CN102891082A 公开(公开)日 2013.01.23
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 申请人地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人 孙宝刚;左小珍;朱阳军;卢烁今;吴振兴;赵佳 专利类型 发明专利
摘要 本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述绝缘栅双极晶体管制作方法包括:采用轻掺杂的硅衬底作为漂移区;在所述漂移区内形成基区和沟槽栅区,所述基区位于所述沟槽栅区的两侧,且所述沟槽栅区的深度大于所述基区的深度;在所述基区内形成发射极区。本发明所提供的绝缘栅双极晶体管制作方法,通过在漂移区内形成沟槽栅区,从而使得导电沟道垂直化,且由于沟槽栅区的深度大于所述基区的深度,因此不存在JFET区,使得电流更加均匀。这种具有沟槽栅区结构的绝缘栅双极晶体管不仅可减小芯片的面积,而且可减小产生闩锁效应发生的几率。
主权项 一种绝缘栅双极晶体管制作方法,其特征在于,包括:采用轻掺杂的硅衬底作为漂移区;在所述漂移区内形成基区和沟槽栅区,所述基区位于所述沟槽栅区的两侧,且所述沟槽栅区的深度大于所述基区的深度;在所述基区内形成发射极区。
IPC信息
IPC主分类号 H01L21/331(2006.01)I
IPC分类号 H01L21/331(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
法律状态信息
法律状态公告日 2015.09.23 法律状态 授权 法律状态信息 授权
法律状态公告日 2013.03.06 法律状态 实质审查的生效 法律状态信息 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/331 申请日:20110718
法律状态公告日 2013.01.23 法律状态 公开 法律状态信息 公开
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申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 申请人地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
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