专利名称--【一种高晶体质量超细砷化铟纳米线生长方法】

基本信息
申请号 CN201310024040.5 申请日 2013-01-22 公开(公开)号 CN103060905A 公开(公开)日 2013.04.24
申请(专利权)人 中国科学院半导体研究所 申请人地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
发明人 赵建华;潘东 专利类型 发明专利
摘要 本发明公开了一种高晶体质量超细砷化铟纳米线的生长方法,其包括以下步骤:步骤1:将去除表面氧化层的衬底放在分子束外延设备样品架上,所述分子束外延设备装有铟、砷和银源;步骤2:设定衬底温度为第一设定温度,待温度稳定后,打开银源挡板,以使得在衬底上沉积一定厚度的银薄膜;步骤3:关闭银源挡板,将衬底升温至第二设定温度,待温度稳定后保持第一预定时间,以提高银薄膜的晶体质量;步骤4:然后再将衬底升温至第三设定温度,待温度稳定后保持第二预定时间,使得所述银薄膜分散成银纳米颗粒;步骤5:将铟源及砷源升至一定温度,以通过砷源和铟源的所述温度调节二者的束流比在预定范围内;步骤6:将衬底温度降至砷化铟纳米线的生长温度;步骤7:待温度稳定后,同时打开铟源和砷源挡板,在沉积的银纳米颗粒上生长超细砷化铟纳米线。本发明采用银做催化剂可以降低砷化铟纳米线的生长成本。
主权项 一种高晶体质量超细砷化铟纳米线的生长方法,其包括以下步骤:步骤1:将去除表面氧化层的衬底放在分子束外延设备样品架上,所述分子束外延设备装有铟、砷和银源;步骤2:设定衬底温度为第一设定温度,待温度稳定后,打开银源挡板,以使得在衬底上沉积一定厚度的银薄膜;步骤3:关闭银源挡板,将衬底升温至第二设定温度,待温度稳定后保持第一预定时间,以提高银薄膜的晶体质量;步骤4:然后再将衬底升温至第三设定温度,待温度稳定后保持第二预定时间,使得所述银薄膜分散成银纳米颗粒;步骤5:将铟源及砷源升至一定温度,以通过砷源和铟源的所述温度调节二者的束流比在预定范围内;步骤6:将衬底温度降至砷化铟纳米线的生长温度;步骤7:待温度稳定后,同时打开铟源和砷源挡板,在沉积的银纳米颗粒上生长超细砷化铟纳米线。
IPC信息
IPC主分类号 C30B25/02(2006.01)I
IPC分类号 C30B25/02(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
法律状态信息
法律状态公告日 2016.03.30 法律状态 授权 法律状态信息 授权
法律状态公告日 2013.04.24 法律状态 公开 法律状态信息 公开
代理信息
申请(专利权)人 中国科学院半导体研究所 申请人地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
获取专利