专利名称--【量子阱红外探测器的制作方法】

基本信息
申请号 CN201310008615.4 申请日 2013-01-10 公开(公开)号 CN103050503A 公开(公开)日 2013.04.17
申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请人地址 215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号
发明人 时文华;缪小虎;苏瑞巩;熊敏;张宝顺 专利类型 发明专利
摘要 本申请公开了一种量子阱红外探测器的制作方法,通过引入自对准工艺,完成探测器芯片的上电极制备与台面制备。其制作方法包括以下步骤:1、光栅光刻与刻蚀;2、通过光刻、电子束蒸发与剥离形成金属上电极;3、利用上电极金属作为掩膜,刻蚀形成台面;4、钝化层制备;5、钝化层开孔;6、通过光刻、电子束蒸发与剥离形成金属下电极。本发明相对传统的先刻蚀台面隔离的制造方法,可省略电极金属与台面之间的对准光刻,大大降低了工艺难度,并且上下金属电极可分别控制金属成分与厚度,会提高后期芯片与In柱倒装的可靠性。
主权项 一种量子阱红外探测器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:s1、在外延片上进行光栅光刻,形成光栅图形;s2、在外延片上制作上电极;s3、以上电极为掩膜,刻蚀形成台面;s4、生长钝化层,并在钝化层上刻蚀出电极孔以露出上电极;s5、制作下电极。
IPC信息
IPC主分类号 H01L27/146(2006.01)I
IPC分类号 H01L27/146(2006.01)I
法律状态信息
法律状态公告日 2015.06.17 法律状态 授权 法律状态信息 授权
法律状态公告日 2013.05.15 法律状态 实质审查的生效 法律状态信息 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/146申请日:20130110
法律状态公告日 2013.04.17 法律状态 公开 法律状态信息 公开
代理信息
申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请人地址 215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号
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