专利名称--【半导体器件及其制造方法】

基本信息
申请号 CN201110300828.5 申请日 2011-09-29 公开(公开)号 CN103035524A 公开(公开)日 2013.04.10
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 申请人地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3#
发明人 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 专利类型 发明专利
摘要 一种半导体器件及其制造方法,采用PECVD在NMOS器件上覆盖一层具有高紫外光吸收系数的氮化硅膜,该氮化硅膜在受激激光表面退火处理时,能很好地吸收紫外光,从而获得良好的去氢效果,并在去氢后,氮化硅膜具有很高的张应力;由于氮化硅膜的紫外光吸收系数高,因此不需要对衬底进行加热,避免了由于需要加热衬底去氢而给器件带来的不良影响,保存了PECVD工艺带来的热预算。
主权项 一种半导体器件制造方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成NMOS器件;通过PECVD工艺在所述NMOS器件上覆盖高紫外光吸收系数氮化硅膜,其中,对于λ<410nm的紫外光,所述高紫外光吸收系数氮化硅膜的紫外光吸收系数为α>500cm?1;采用受激激光表面退火对所述高紫外光吸收系数氮化硅膜进行处理,去除所述高紫外光吸收系数氮化硅膜中的氢;经过受激激光表面退火处理之后的所述高紫外光吸收系数氮化硅膜具有大于1GPa的张应力,用以提高NMOS器件的沟道载流子迁移率。
IPC信息
IPC主分类号 H01L21/336(2006.01)I
IPC分类号 H01L21/336(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I
法律状态信息
法律状态公告日 2015.08.05 法律状态 授权 法律状态信息 授权
法律状态公告日 2013.05.08 法律状态 实质审查的生效 法律状态信息 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20110929
法律状态公告日 2013.04.10 法律状态 公开 法律状态信息 公开
代理信息
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 申请人地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3#
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