专利名称--【一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备】

基本信息
申请号 CN201110300066.9 申请日 2011-09-29 公开(公开)号 CN103031545A 公开(公开)日 2013.04.10
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 申请人地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人 王燕;李勇滔;夏洋;赵章琰;石莎莉 专利类型 发明专利
摘要 本发明涉及一种半导体工艺设备,尤其是涉及一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备。所述原子层沉积设备,包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和容积可调节的沉积室;控制部件分别与真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件相连接,真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件分别与容积可调节的沉积室相连接。本发明可提供不同容积的沉积室,能够较好的适应不同体积的待加工器件,沉积室和待加工器件合理的体积比,可以有效的降低沉积反应周期时间,减少劣质膜的生长,降低膜层的颗粒度,提供沉积质量,满足半导体器件到膜层精度的要求。
主权项 一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备,其特征在于:包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和容积可调节的沉积室;所述控制部件分别与所述真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件相连接,所述述真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件分别与所述容积可调节的沉积室相连接。
IPC信息
IPC主分类号 C23C16/52(2006.01)I
IPC分类号 C23C16/52(2006.01)I
法律状态信息
法律状态公告日 2014.10.22 法律状态 授权 法律状态信息 授权
法律状态公告日 2013.05.08 法律状态 实质审查的生效 法律状态信息 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/52申请日:20110929
法律状态公告日 2013.04.10 法律状态 公开 法律状态信息 公开
代理信息
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 申请人地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
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