专利名称--【一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法】

基本信息
申请号 CN201210533276.7 申请日 2012-12-11 公开(公开)号 CN103021864A 公开(公开)日 2013.04.03
申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 申请人地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
发明人 程新红;夏超;王中健;曹铎;郑理;贾婷婷;俞跃辉 专利类型 发明专利
摘要 本发明提供一种SOI?RESURF超结器件结构及其制作方法,首先提供一SOI衬底;在该衬底的顶层硅上形成漂移区及源、漏端;提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版,所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大;该掩膜版在该漂移区的垂直投影左侧距离所述漂移区左侧具有一定距离,自上述第一窗口进行N型离子注入;退火;提供一横向设有若干第二窗口的第二掩膜版;自该第二窗口向所述N型漂移区进行P型离子注入,形成间隔的P柱和N柱;且P柱不和漏端相连。本发明超结区的高浓度可以保证器件具备较低的开态电阻,RESURF区可以保证器件具备较高的耐压,改善了器件耐压和开态电阻之间的折衷关系,同时还可以降低器件耐压对于电荷不平衡的敏感度,提高器件可靠性。
主权项 一种SOI?RESURF超结器件结构的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:提供一SOI衬底;在该SOI衬底的顶层硅上形成漂移区并在该漂移区两侧预设源端和漏端;提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版,所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大;将该第一掩膜版放置于所述漂移区之上,该掩膜版在该漂移区的垂直投影左侧距离所述漂移区左侧具有一定距离,自上述第一窗口向所述漂移区进行N型离子注入;退火,在该漂移区形成沿源端到漏端方向N型载流子浓度呈线性增加的N型漂移区;提供一放置于漂移区之上并横向设有若干第二窗口的第二掩膜版;其中,所述第二窗口自所述漂移区左侧平齐起始,截止于所述第一掩膜版的起始位置;自该第二窗口向所述N型漂移区采用三次能量和剂量依次减小的方式进行P型离子注入,形成间隔的P柱和N柱;且P柱不和漏端相连;最后形成沟道、源区、漏区和栅区域。
IPC信息
IPC主分类号 H01L21/336(2006.01)I
IPC分类号 H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
法律状态信息
法律状态公告日 2015.07.01 法律状态 授权 法律状态信息 授权
法律状态公告日 2013.05.01 法律状态 实质审查的生效 法律状态信息 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20121211
法律状态公告日 2013.04.03 法律状态 公开 法律状态信息 公开
代理信息
申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 申请人地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
获取专利